El Galaxy S10 sería el primero en ofrecer RAM LPDDR5 y almacenamiento UFS 3.0
viernes, octubre 19, 2018

El Galaxy S10 sería el primero en ofrecer RAM LPDDR5 y almacenamiento UFS 3.0

Hace poco más de dos meses, Samsung presentó su nuevo gama alta de la serie S: el Samsung Galaxy S9 y S9 Plus. A pesar de tener poco tiempo de su salida, ya han comenzado los rumores y fugas de cómo sería el próximo Galaxy S. Un nuevo rumor de una fuente conocida revela que el Galaxy S10 tendría un nuevo tipo de memoria RAM y de almacenamiento.

El rumor asegura que  tendría con memoria RAM tipo LPDDR5 y almacenamiento UFS 3.0, será el primero en incluir está tipo de memorias. El cambio de RAM tipo LPDDR3 a tipo LPDDR4 fue muy  beneficioso, pues casi se duplicaron las velocidades de memoria RAM, es posible que pueda soportar 3600 Mbps o más siendo así un cambio no muy grande pero que supone mejorar la productividad.

Galaxy S10
Galaxy

Hasta ahora ningún teléfono posee tales características, por lo que no podemos saber con exactitud que tanto mejorará. las memorias LPDDR5 en ordenadores aumentan la eficiencia un 15 por ciento, mientras que  en el rendimiento alrededor de un 10 por ciento. El fabricante ha comenzado la producción en masa de las memorias RAM LPDDR5 y las NAND UFS 3.0. A principios de año Samsung lanzó UFS 3.0 , pero solo para vehículos.

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Sabemos que este terminal de Samsung contará con especificaciones muy atractivas, como un lector de huellas en pantalla e Intelligente Scan que combina el reconocimiento facial con el lector de iris. Ice Universe, una fuente conocida dió a conocer esta información que, por el momento no se ha confirmado. “Samsung will mass-produce LPDDR5 and UFS3.0 chips in the second half of the year, and I look forward to the Galaxy S10.” Esperemos conocer nuevas noticias del Galaxy S10.

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