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Se filtran las especificaciones de los Snapdragon 835 y Snapdragon 660
miércoles, febrero 20, 2019

Se filtran las especificaciones de los Snapdragon 835 y Snapdragon 660

Qualcomm es el fabricante número uno de procesadores para dispositivos móviles a nivel mundial. Si incorporación más reciente se dio la semana pasada, cuando anunciaron el nuevo Snapdragon 835. Este nuevo procesador será el que llevarán los smartphones de gama alta del próximo año, pero Qualcomm no dio mayores detalles sobre sus especificaciones técnicas. Sin embargo, parecer que estas ya no son del todo ocultas.

Recientemente se ha encontrado una imagen en el sitio chino anzhuo.cn el que se muestran las posibles especificaciones que llevaría no solo el Snapdragon 835 sino también el Snapdragon 660. En dicha imagen se puede ver que el Snapdragon 835 vendría basado en una arquitectura Kyro 200 de ocho núcleos. Cuatro núcleos más potentes y los otros cuatro un poco menos potentes, aunque las velocidades de reloj aún se desconocen. A este le acompañará la GPU Adreno 540 y el Modem LTE X16 propio de Qualcomm. Para hacernos una idea, el Snapdragon 820 fabricado con proceso de 14nm cuenta con un CPU de cuatro núcleos Kyro, GPU Adreno 530 y Modem LTE X12.

El Snapdragon 835 será capaz de obtener velocidades de descarga de hasta 1Gbps en LTE, cuatro canales para RAM LPDDR4X-1866 de y compatibilidad con almacenamiento UFS 2.1.

Posibles especificaciones técnicas de los Snapdragon 835 y Snapdragon 660
Posibles especificaciones técnicas de los Snapdragon 835 y Snapdragon 660

Por otro lado, el Snapdragon 660 al parecer vendrá fabricado con un proceso FinFet LPP de 14nm de Samsung. Este chipset vendría con cuatro núcleos corriendo a 2,2 GHz y cuatro más corriendo a 1,9 GHz. A este le acompañaría la GPU Adreno 512, el chip X10 y dos canales de memoria RAM LPDRR4X-1866 y compatibilidad con almacenamiento UFS 2.1. Hasta ahora parece que el Snapdragon 660 llegará para ser el sucesor del Snapdragon 652.

Te recomendamos: Xiaomi presentará un nuevo producto de manera global en el CES 2017

Recordemos que Qualcomm confirmó durante la presentación de la semana pasada, que el Snapdragon 835 vendrá fabricado con el proceso FinFet de 10nm de Samsung. Junto a este también se anunció Quick Charge 4.0 que promete cargar el 50% de la batería de un smartphone en tan solo 15 minutos. Veremos si finalmente estas serán las capacidades que tendrá el nuevo procesador de gama alta de Qualcomm, y cual será el rendimiento que ofrecerá en los smartphones que lo lleven desde el 2017.

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Rudy Rodriguez
Editor Senior en Soluciones WinDroid, blog sobre tecnología en general.... responsable de todo el contenido que se publica en este fantástico portal.

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